MASSPHOTON ist stolz, bekannt zu geben, dass seine selbst entwickelten Stromversorgungsgeräte als Finalisten für den EE Awards Asia Innovation R&D Award 2025 in die engere Wahl gekommen sind! Diese prestigeträchtige Anerkennung unterstreicht unsere führenden technologischen Fähigkeiten und Innovationen in der Halbleiter-Leistungsgeräteindustrie.
Unser GaN-Leistungs-HEMT, der durch Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf einem Saphirsubstrat gezüchtet wird, erreicht eine Durchbruchspannung von über 1000 V. Diese herausragende Leistung wird durch die Verwendung einer durch MBE gewachsenen ultradünnen AlN-Pufferschicht und die Implementierung einer Single-Level-Gate-Field-Plate-Technik ermöglicht. Die MBE-Technik erleichtert das Wachstum einer dotierstofffreien Pufferschicht und erhöht so die Zuverlässigkeit von GaN-Leistungs-HEMTs erheblich. Unterdessen senkt die Single-Level-Feldplattentechnik die Herstellungskosten und verbessert gleichzeitig die Gerätezuverlässigkeit. Diese technischen Vorteile verdeutlichen das große Potenzial des GaN-Leistungs-HEMT von MASSPHOTON für elektronische Hochleistungsanwendungen.
Über MASSPHOTON MASSPHOTON engagiert sich für unabhängige Innovation und konzentriert sich auf die Forschung und Herstellung fortschrittlicher Halbleiterbauelemente, um den technologischen Fortschritt und die nachhaltige Entwicklung in der Leistungselektronikindustrie voranzutreiben.
